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参数资料
| 型号： | 2SC4149 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 288K |
| 代理商： | 2SC4149 |
Unit : mm
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
LSV Series
Switching Power Transistor
OUTLINE DIMENSIONS
Case : ITO-220
10A NPN
2SC4149
(TP10S4)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`150
Junction Temperature
Tj
150
Collector to Base Voltage
VCBO
60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
40
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
7V
Collector Current DC
IC
10
A
Collector Current Peak
ICP
20
A
Base Current DC
IB
1.5
A
Base Current Peak
IBP
2A
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
25
W
Dielectric Strength
Vdis
Terminal to case, AC 1 mitute
2
kV
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque : 0.3Nmj
0.5
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector to Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
IC = 0.1A
Min 40
V
Collector Cutoff Current
ICBO
At rated Voltage
Max 0.1
mA
ICEO
Max 0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
At rated Voltage
Max 0.1
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = 2V, IC = 5A
Min 70
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 5A
Max 0.3
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = 0.25A
Max 1.2
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 5
/W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = 1A
TYP 50
MHz
Turn on Time
ton
Max 0.3
IC = 5A
Storage Time
ts
IB1 = 0.5A, IB2 = 0.5A
Max 1.5
s
RL = 5, VBB2 = 4V
Fall Time
tf
Max 0.5
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