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参数资料
| 型号： | 2SC4207-GR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2-3L1A, 5 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2SC4207-GR |
2SC4207
2003-03-27
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC4207
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Small package (dual type)
High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max)
High hFE: hFE = 120~700
Excellent hFE linearity: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)
Complementary to 2SA1618
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
150
mA
Base current
IB
30
mA
Collector power dissipation
PC
(Note 1)
300
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
Note 1: Total rating
Marking
Equivalent Circuit (top view)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-3L1A
Weight: 0.014 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4207TE85R | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4207YTE85R | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4207GRTE85L | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4207GRTE85R | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4207BLTE85L | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4207-GR(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
| 2SC4207-GR(TE85L,F | 功能描述:两极晶体管 - BJT 150mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4207-GR(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN SMV |
| 2SC4207Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
| 2SC4207-Y | 功能描述:两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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