型号: | 2SC4210TE85R |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 57K |
代理商: | 2SC4210TE85R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC4210OTE85R | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SC4213TE85R | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC4213TE85L | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC4221L | 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SC4221N | 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC4210Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SC-59 |
2SC4211 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
2SC4211-5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
2SC4211-6 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR |
2SC4211-6-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |