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参数资料
| 型号： | 2SC4213 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 2SC4213 |
2SC4213
2003-03-27
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC4213
For Muting and Switching Applications
High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min)
High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = 2 V, IC = 4 mA)
Low on resistance: RON = 1 (typ.) (IB = 5 mA)
High DC current gain: hFE = 200~1200
Small package
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
20
V
Emitter-base voltage
VEBO
25
V
Collector current
IC
300
mA
Base current
IB
60
mA
Collector power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-70
TOSHIBA
2-2E1A
Weight: 0.006 g (typ.)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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