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参数资料
| 型号： | 2SC4233-4100 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SC4233-4100 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4234-4000 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4583-4100 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4235-4100 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4231-4000 | 2 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4230-4100 | 2 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4234 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全称:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Switching Power Transistor(3A NPN) |
| 2SC4234-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4234-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4234-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4234-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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