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参数资料
| 型号： | 2SC4473D |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.4 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SC4473D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4473 | 0.4 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1696D | 0.4 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4473C | 0.4 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4478-YB | 7 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC3642-CA | 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4478 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-220ML |
| 2SC4482T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4482U-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4485T-AN | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 1A SC-71 |
| 2SC4486S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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