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参数资料
| 型号： | 2SC4482S |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SC4482S |
2SC4482
No.3235–2/4
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c
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p
s
e
S
0
4s
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
VR
RL
VBE= --5V
10IB1= --10IB2=IC=2A
VCC=10V
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
++
0.1
23
5
1.0
23
5
10
0.01
23
5
2
100
1000
3
5
2
7
3
5
7
0
1
2
3
4
5
012345
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ITR07106
ITR07107
hFE -- IC
ITR07109
ITR07108
IC -- VCE
IB=0
IC -- VBE
IB=0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VCE=2V
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
5mA
15mA
10mA
20mA
5mA
15mA
10mA
20mA
30mA
40mA
50mA
60mA
30mA
40mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
Ta=75°C
25
°C
--25°C
IC -- VCE
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SC4482U-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4485T-AN | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 1A SC-71 |
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| 2SC4486T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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