参数资料
型号: 2SC4555
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ULTRASMALL, MCP, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 101K
代理商: 2SC4555
No.3187-2/4
2SA1745/2SC4555
r
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Pl
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B
(
IE
I
,
A
0
1
)
(
=
C 0
=5
)
(V
--100
0
0--0.2
--0.4
--0.6
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--1.0
--0.8
--1.4
IC -- VBE
ITR04459
--600
--200
--300
--400
--500
IB=0
--40
0
0--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
IC -- VCE
ITR04457
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--1.0mA
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--0.2mA
2SA1745
--1.2mA
IB=0
1.0mA
0.8mA
0.7mA
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0.9mA
2SA1745
VCE=--2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
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0
0.2
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1.4
IC -- VBE
ITR04460
600
200
300
400
500
40
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
IC -- VCE
ITR04458
200
80
120
160
2SC4555
VCE=2V
Ta
=
7
C
25
°C
--25
°C
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
mA
Collector
Current,
I C
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
mA
Collector
Current,
I C
mA
Continued from preceding page.
* : The 2SA1745/2SC4555 are classified by 10mA hFE as follows :
k
n
a
R
567
h E
F
0
7
2
o
t
0
3
10
0
4
o
t
0
20
0
6
o
t
0
3
Marking 2SA1745 : ES
2SC4555 : UT
hFE rank : 5, 6, 7
相关PDF资料
PDF描述
2SA1745-6 500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1759T100Q 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1759T100/Q 0.1 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1759T100/NQ 0.1 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1759T100NQ 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC4559 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 7A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC4559LP.KT 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC456 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR50V .6A .75W 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC45620RL 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC4562GRL 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR