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参数资料
| 型号： | 2SC4573C7 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 2SC4573C7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1085/DE | 1.5 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SC5117 | 4 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SC5147C7/E | 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN |
| 2SA1635C7F | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SB1569C7F | 1.5 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC458 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4580-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4580-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4581 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4581-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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