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参数资料
| 型号： | 2SC4578-RA |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.05 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SC4578-RA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4450-YA | 0.005 A, 1500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SC4578-CB | 0.05 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SC4475-RA | 0.003 A, 1800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SC4579-RA | 0.02 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SC4476-RB | 0.01 A, 1800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC458 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4580-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4580-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4581 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4581-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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