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参数资料
| 型号： | 2SC4579C |
| 英文描述： | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|叩| 900V五（巴西）总裁| 20mA的一（c）| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SC4579C |
2SC4500(L)/(S)
Silicon NPN Epitaxial
ADE-208-894 (Z)
1st. Edition
Sep. 2000
Application
Low frequency amplifier
Outline
4
12
3
4
3
2
1
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
DPAK
S Type
L Type
1
2, 4
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4579D | TRANSISTOR | BJT | NPN | 900V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-220AB |
| 2SC458(K) | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC458KB | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC458KC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SC458KD | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC458 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4580-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4580-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4581 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4581-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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