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参数资料
| 型号： | 2SC458LG |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 2SC458LG |
2SC458 (LG), 2SC2310
4
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
C
Maximum Collector Dissipation Curve
300
200
100
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
0
C
C
Typical Output Characteristics
10
8
6
4
2
25
20
15
10
5
I
B
= 0
10
μ
A
20
30
40
50
60
P
C
=200mW
Typical Transfer Characteristics
C
C
1
0
2
3
4
5
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE
= 12 V
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
0.03
0.1
30
0.3
3
1.0
10
0
100
200
300
D
h
F
V
CE
= 12 V
25
Ta = 75
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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