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参数资料
| 型号： | 2SC4666-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2-2E1A, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 2SC4666-A |
2SC4666
2003-03-25
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC4666
Audio Frequency Amplifier Applications
Switching Applications
High hFE: hFE = 600~3600
High voltage: VCEO = 50 V
High collector current: IC = 150 mA (max)
Small package
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
150
mA
Base current
IB
30
mA
Collector power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
Electrical Characteristics (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
0.1
mA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
0.1
mA
DC current gain
hFE
(Note)
VCE = 6 V, IC = 2 mA
600
3600
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.12
0.25
V
Transition frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 10 mA
100
250
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
3.5
pF
NF (1)
VCE = 6 V, IC = 0.1 mA, f = 100 Hz,
Rg
= 10 kW
0.5
Noise figure
NF (2)
VCE = 6 V, IC = 0.1 mA, f = 1 kHz,
Rg
= 10 kW
0.3
dB
Note: hFE classification A: 600~1800, B: 1200~3600
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-70
TOSHIBA
2-2E1A
Weight: 0.006 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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