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参数资料
| 型号： | 2SC4667-R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 422K |
| 代理商： | 2SC4667-R |
2SC4667
2007-11-01
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC4667
Ultra High Speed Switching Applications
Computer, Counter Applications
High transition frequency: fT = 400 MHz (typ.)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.3 V (max)
High speed switching time: tstg = 15 ns (typ.)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
40
V
Collector-emitter voltage
VCEO
15
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
200
mA
Base current
IB
40
mA
Collector power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
55~125
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-70
TOSHIBA
2-2E1A
Weight: 0.006 g (typ.)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SC4668-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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