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参数资料
| 型号： | 2SC4669-4101 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | 2SC4669-4101 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2178-4101 | 2 A, 500 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2177-4061 | 1 A, 500 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SA1796-4101 | 7 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1877-4101 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SK1931-4071 | 5 A, 200 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4669-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4669-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4669-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4669-7101 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4672 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:LOW Vce NPN SM BIPOLAR TRANSISTOR MPT3 0.5W 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:LOW Vce NPN SM BIPOLAR TRANSISTOR MPT3 0.5W - free partial T/R at 500. |
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