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参数资料
| 型号： | 2SC4690R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管| npn型| 140伏特五（巴西）总裁| 10A条一（c）|至247VAR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SC4690R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4691 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4691Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| 2SC4691R | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4693 | Silicon NPN Epitaxial Planar |
| 2SC4694 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4690-R(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS |
| 2SC4691 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4691J0L | 功能描述:TRANS NPN 40VCES 100MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC4694-TL-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2SC4703-AZ | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.3dB @ 1GHz 增益:8.3dB 功率 - 最大值:1.8W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 |
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