参数资料
型号: 2SC4709-RB
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 0.01 A, 2100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封装: TO-220, 3 PIN
文件页数: 1/1页
文件大小: 78K
代理商: 2SC4709-RB
相关PDF资料
PDF描述
2SC4709-RC 0.01 A, 2100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2SC4579-CB 0.02 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2SC4579-RB 0.02 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2SC4579-RC 0.02 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2SC3637-CA 10 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC4710LS 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSNPN2100V0.01ATO-220FI
2SC4713 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC4713KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC4713KT146R 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 6V 0.05A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4713KT146S 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 6V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2