型号: | 2SC4726L |
英文描述: | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
中文描述: | 晶体管|晶体管|叩| 11V之间五(巴西)总裁| 50mA的一(c)|的SOT - 23VAR |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 237K |
代理商: | 2SC4726L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC4726M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 11V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
2SC4726N | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC4726P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 11V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
2SC4726Q | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC4728R | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC4726TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SC4726TLN | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 11V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4726TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 11V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4731S-AY | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4731T-AY | 功能描述:两极晶体管 - BJT VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |