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参数资料
| 型号： | 2SC4793 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | 2SC4793 |
2SC4793
2006-11-10
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Collector current IC (mA)
fT – IC
T
ransi
tion
fr
equen
cy
f
T
(MHz)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
1.0
0
Common emitter
Tc = 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
2
4
6
8
10
20
IB = 2 mA
4
6
8
10
25
1.0
0
Common emitter
VCE = 5 V
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.2
0.4
0.6
0.8
Tc = 100°C
25
500
10
5
Common emitter
VCE = 10 V
Tc = 25°C
30
50
100
300
1000
10
30
100
300
1
0.003
0.01
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
Common emitter
IC/IB = 10
25
Tc = 100°C
25
1000
0.003
10
30
50
100
300
500
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 100°C
25
5
0.01
1
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
3
10
30
100
300
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
IC max (pulsed)*
IC max (continuous)
DC operation
Tc = 25°C
100 ms*
10 ms*
1 ms*
VCEO max
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