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参数资料
| 型号： | 2SC4815-L |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | 2SC4815-L |
Data Sheet D15605EJ3V0DS
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2SC4815
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4815 | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4821C | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 2SC4824-E | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4824-D | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1850 | 0.2 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC4815-T-AZ(L) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SC4815-T-AZ-K | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4820 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANKEN TRANSISTOR FM20 900V 6A 30W BCE |
| 2SC4833-4000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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