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参数资料
| 型号： | 2SC4828 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-126FM, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SC4828 |
2SC4828
Silicon NPN Triple Diffused
Application
High voltage amplifier, TV Video output
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126FM
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
300
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
300
V
Emitter to base voltage
V
EBO
5V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
1.5
W
P
C*
1
8
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4829B | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4829C | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4829C | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4829-B | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4834 | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4833-4000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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