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参数资料
| 型号： | 2SC4837-T |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | FLP-3 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SC4837-T |
2SA1855/2SC4837
No.4135–2/4
Switching Time Test Circuit
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0
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+
50
25
INPUT
OUTPUT
VR
RL
RB
VCC=25V
100
F
470
F
VBE= --5V
PW=20
s
IB1
IC=10IB1= --10IB2=1A
DC
≤1%
IB2
IB=0
2SA1855
2SC4837
--1
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
IC -- VCE
ITR04917
--5
--2
--3
--4
--100mA
--50mA
--5mA
--10mA
--200mA
--20mA
IB=0
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
IC -- VCE
ITR04918
5
2
3
4
100mA
80mA
60mA
40mA
20mA
10mA
5mA
IB=0
2SA1855
2SC4837
--0.4
0
--4
--8
--12
--16
--20
IC -- VCE
ITR04919
--2.0
--0.8
--1.2
--1.6
--10mA
--8mA
--2mA
--12mA
--4mA
--6mA
IB=0
0.4
0
04
8
12
16
20
IC -- VCE
ITR04920
2.0
0.8
1.2
1.6
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4837-T | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4837T | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4837-S | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1855T | 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1871-GA3 | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC485 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-39100V 1.5A .8W |
| 2SC4851-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:mom 15V 0.1A 800 to 3200 MCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 15V 0.1A SOT323 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC4853A-4-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 15MA 5V FT=5G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4881(CANO,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SC4881(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 5A TO220NIS |
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