- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30561 > 2SC4853-3 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC4853-3 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | 2SC4853-3 |
2SC4853
No.4578–2/4
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
n
i
a
G
r
e
f
s
n
a
r
T
d
r
a
w
r
o
F
|
e
1
2
S
|
2 1V E
C
I
,
V
1
=
C
z
H
G
1
=
f
,
A
m
1
=5
.
47
B
d
|
e
1
2
S
|
2 2V E
C
I
,
V
2
=
C
z
H
G
1
=
f
,
A
m
3
=5
.
0
1B
d
e
r
u
g
i
F
e
s
i
o
N
1
F
NV E
C
I
,
V
1
=
C
z
H
G
1
=
f
,
A
m
1
=6
.
25
.
4B
d
2
F
NV E
C
I
,
V
2
=
C
z
H
G
1
=
f
,
A
m
3
=9
.
1B
d
Continued from preceding page.
ITR07583
Cob -- VCB
f=1MHz
ITR07581
3
5
2
1.0
7
3
5
2
0.1
7
72
10
1.0
0.1
2
3
5
7
5
7
2
ITR07582
23
5
57
7
10
1.0
2
7
10
1.0
5
7
5
3
2
3
fT -- IC
100
10
hFE -- IC
3
5
3
7
72
22
1.0
0.1
55
3
7 10
2
3
5
7
5
7
2
3
V
CE =2V
NF -- IC
35
5
2
3
2
1.0
7
72
10
0
2
4
6
8
10
f=1GHz
ITR07584
0
S21e
2 -- IC
14
12
10
8
6
4
2
7
1.0
23
5
57
f=1GHz
ITR07585
S21e
2, NF -- IC
6
5
2
4
1
0
7
3
0
6
4
2
8
10
12
14
f=1GHz
ITR07586
1V
V
CE
=2V
1V
V CE
=2V
1V
V CE
=1V
2V
IC=3mA
1mA
IC=1mA
3mA
NF
S21e
2
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
–
GHz
Collector Current, IC –mA
Collector-to-Base Voltage, VCB –V
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Noise
Figure,
NF
–
d
B
Collector Current, IC –mA
F
orw
ard
T
ransfer
Gain,
S21e
2
–d
B
S21e
2
,NF
–
d
B
Collector Current, IC –mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4853-5 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4854-3 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4854 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC4863-5 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4863-3 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4853A-4-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 15MA 5V FT=5G RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4881(CANO,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SC4881(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 5A TO220NIS |
| 2SC4881,LS1SUMIF(M | 功能描述:TRANS NPN 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SC4883 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Trans GP BJT NPN 150V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 150V 2A TO220F |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。