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参数资料
| 型号： | 2SC4875 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | 2SC4875 |
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol Rating Unit
————————————————————–
Collector to base voltage
VCBO
300
V
————————————————————–
Collector to emitter voltage
VCEO
300
V
————————————————————–
Emitter to base voltage
VEBO
5V
————————————————————–
Collector current
IC
100
mA
————————————————————–
Collector power dissipation
PC
1.5
W
——————–
PC*1
8
————————————————————–
Junction temperature
Tj
150
°C
————————————————————–
Storage temperature
Tstg
–55 to °C
+150
————————————————————–
Note: 1. Value at TC = 25°C.
1
2
3
TO-126FM
1. Emitter
2. Collector
3. Base
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test condition
———————————————————————————————————————————
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO 300
—
V
IC = 10 A, IE = 0
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter breakdown voltage
V(BR)CEO 300
—
V
IC = 1 mA, RBE = ∞
———————————————————————————————————————————
Emitter to base breakdown voltage
V(BR)EBO 5—
V
IE = 10 A, IC = 0
———————————————————————————————————————————
Collector cutoff current
ICEO
—
1.0
A
VCE = 250 V, RBE = ∞
———————————————————————————————————————————
DC current transfer ratio
hFE
40
—
200
VCE = 20 V, IC = 20 mA
———————————————————————————————————————————
Base to emitter voltage
VBE
—
1.0
V
VCE = 20 V, IC = 20 mA
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
—
1.5
V
IC = 20 mA, IB = 2 mA
———————————————————————————————————————————
Gain bandwidth product
fT
50
80
—
MHz
VCE = 20 V, IC = 20 mA
———————————————————————————————————————————
Collector Output Capacitance
Cob
—
4.0
pF
VCB = 20 V, IE = 0,
f = 1 MHz
———————————————————————————————————————————
2SC4828
Silicon NPN Triple Diffused
High Voltage Amplifier, TV Video Output
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PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4884D | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4884E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| 2SC4884F | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4887LS | TRANSISTOR | BJT | NPN | 1.2KV V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-220VAR |
| 2SC4888LS | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4881(CANO,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SC4881(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 5A TO220NIS |
| 2SC4881,LS1SUMIF(M | 功能描述:TRANS NPN 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SC4883 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Trans GP BJT NPN 150V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 150V 2A TO220F |
| 2SC4883A | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 180V 2A TO220F |
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