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参数资料
| 型号： | 2SC4926 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPAK-4 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2SC4926 |
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7
2SC4926
Silicon NPN Epitaxial
REJ03G0735-0300
(Previous ADE-208-1128A)
Rev.3.00
Aug.10.2005
Application
VHF / UHF wide band amplifier
Features
High gain bandwidth product
fT = 11 GHz Typ
High gain, low noise figure
PG = 16.5 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz
Outline
RENESAS Package code: PLSP0004ZA-A
(Package name: MPAK-4)
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
1
4
3
2
Note:
Marking is “YD–”.
Attention: This is electrostatic sensitive device.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
15
V
Collector to emitter voltage
VCEO
8
V
Emitter to base voltage
VEBO
1.5
V
Collector current
IC
50
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4934E | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4934E | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4934 | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4935 | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4935-O | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4935-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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| 2SC494 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 50V 5A 50W BEC |
| 2SC4940-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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