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参数资料
| 型号： | 2SC4926YD-TL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPAK-4 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | 2SC4926YD-TL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4926YD-UR | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4926YD-TR | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4931 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4931B1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4942-AA2-AZ | 1 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4935-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC4935-Y,Q(J | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SC494 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 50V 5A 50W BEC |
| 2SC4940-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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