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参数资料
| 型号： | 2SC4939TR/EF |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SC4939TR/EF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1189T100/PQ | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1260T100/QR | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1834F5/QR | 10000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5001TR/QS | 10000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TL/QR | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC494 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 50V 5A 50W BEC |
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| 2SC4940-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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