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参数资料
| 型号： | 2SC4940 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 312K |
| 代理商： | 2SC4940 |
2SC3326
2003-03-27
2
Electrical Characteristics (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
0.1
mA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 25 V, IC = 0
0.1
mA
DC current gain
hFE
(Note)
VCE = 2 V, IC = 4 mA
200
1200
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 30 mA, IB = 3 mA
0.042
0.1
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 2 V, IC = 4 mA
0.61
V
Transition frequency
fT
VCE = 6 V, IC = 4 mA
30
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
4.8
7
pF
Turn-on time
ton
160
Storage time
tstg
500
Switching time
Fall time
tf
Duty cycle <
= 2%
130
ns
Note: hFE classification A: 200~700, B: 350~1200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SC4942-AA1 | 1 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4942-AA2 | 1 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4944-GR | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4944-Y | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4954-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC4940-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7112 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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