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参数资料
| 型号： | 2SC4942-AA2 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | 2SC4942-AA2 |
'DWD 6KHHW'(-9'6
2SC4942
>0(02@
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4944-GR | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4944-Y | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4954-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4955-T83 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4957-T1T83 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4942-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,600V,1.0A,MP-2 制造商:Renesas 功能描述:0 |
| 2SC4942-T1-AZ-AA2 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4942-T1-AZ-AA3 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4944-GR | 功能描述:两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4944-GR(TE85L,F | 功能描述:两极晶体管 - BJT 150mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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