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参数资料
| 型号： | 2SC4956-T1T82 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | 2SC4956-T1T82 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4956-T2T82 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4959 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5010 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4962 | 6 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4962 | 6 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4957-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 4-Pin Mini-Mold |
| 2SC4957-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4957-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:180mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 10mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143 标准包装:3,000 |
| 2SC4959-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4960 | 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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