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参数资料
| 型号： | 2SC5010-T1FB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 2SC5010-T1FB-A |
1997 Mar 25
4
Philips Semiconductors
Product specication
NPN general purpose transistor
2N4124
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L1
(1)
2.5
b1
0.66
0.56
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54
TO-92
SC-43
97-02-28
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
e1
e
1
2
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5010-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5010-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5011GB | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5011 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5011(NE85618) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Discrete |
| 2SC5011-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5011-T1 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5011-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
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