型号: | 2SC5011 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 57K |
代理商: | 2SC5011 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC5011(NE85618) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Discrete |
2SC5011-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
2SC5011-T1 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
2SC5011-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
2SC5011-T2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |