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参数资料
| 型号： | 2SC5012-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SUPERMINI-4 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SC5012-A |
Data Sheet PU10504EJ01V0DS
3
2SC5012
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°C, unless otherwise specified)
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
COLLECTOR CURRENT
DC CURRENT GAIN vs.
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
vs. COLLECTOR CURRENT
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA (C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Free Air
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
2.0
1.0
1
0.5
0.1
0.2
510
20
50
f = 1 MHz
2
50
0.5
1.0
0
40
30
20
10
VCE = 8 V
30
20
10
28
12
0
46
10
A
160 A
140 A
120 A
100 A
80 A
60 A
40 A
20 A
IB = 200
180
A
500
200
1
100
10
20
50
10
100
VCE = 8 V
10
8
1
6
0
2
4
5
10
50
100
VCE = 8 V
f = 1 GHz
220
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5012-T1EB-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5047 | 25 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2SC5103F5TLQ | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5103F5TLP | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5103F5TLPQ | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5012-FB(T1) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5012-T1 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5012-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
| 2SC5012-T2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5013 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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