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参数资料
| 型号： | 2SC5012-T1EB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SUPERMINI-4 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SC5012-T1EB-A |
Data Sheet PU10504EJ01V0DS
4
2SC5012
Frequency f (GHz)
MAXIMUM AVAILABLE GAIN/INSERTION
POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Collector Current IC (mA)
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
Noise
Figure
NF
(dB)
0.1
50
0
10
0.5
1.0
5.0
VCE = 8 V
IC = 20 mA
20
30
40
MAG
|S21e|2
1
20
0
10
5
10
50
100
VCE = 8 V
f = 1 GHz
220
5
4
1
3
0
1
2
510
50
VCE = 8 V
f = 1 GHz
220
Maximum
Available
Gain
MAG
(dB)
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
S-PARAMETERS
S-parameters/Noise parameters are provided on the NEC Compound Semiconductor Devices Web site in a form
(S2P) that enables direct import to a microwave circuit simulator without keyboard input.
Click here to download S-parameters.
[RF and Microwave]
→ [Device Parameters]
URL http://www.ncsd.necel.com/
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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