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参数资料
| 型号： | 2SC5012-T1GB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SUPERMINI-4 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SC5012-T1GB-A |
Data Sheet PU10504EJ01V0DS
4
2SC5012
Frequency f (GHz)
MAXIMUM AVAILABLE GAIN/INSERTION
POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Collector Current IC (mA)
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
Noise
Figure
NF
(dB)
0.1
50
0
10
0.5
1.0
5.0
VCE = 8 V
IC = 20 mA
20
30
40
MAG
|S21e|2
1
20
0
10
5
10
50
100
VCE = 8 V
f = 1 GHz
220
5
4
1
3
0
1
2
510
50
VCE = 8 V
f = 1 GHz
220
Maximum
Available
Gain
MAG
(dB)
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
S-PARAMETERS
S-parameters/Noise parameters are provided on the NEC Compound Semiconductor Devices Web site in a form
(S2P) that enables direct import to a microwave circuit simulator without keyboard input.
Click here to download S-parameters.
[RF and Microwave]
→ [Device Parameters]
URL http://www.ncsd.necel.com/
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5012-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5012-T1EB-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5047 | 25 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2SC5103F5TLQ | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5103F5TLP | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5012-T2 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5013 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5013(NE68018) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Discrete |
| 2SC5013-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 2GHz 增益:9.5dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5013-T1 | 制造商:RNS 功能描述: |
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