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参数资料
| 型号： | 2SC5024B |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.2 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | 2SC5024B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5024B | 0.2 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5026GS | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5029-O | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5029-Y | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5030 | 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5024C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
| 2SC5025 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:High frequency amplifier |
| 2SC5026 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SC50260RL | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1A MINI-PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5026R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243 |
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