型号: | 2SC5053T100/P |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 1 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 98K |
代理商: | 2SC5053T100/P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SC5057 | 20 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SC5060TV3 | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5060TV4 | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5064-Y | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5064-O | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SC5053T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC5053T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC5057 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
2SC5058 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 900V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
2SC506 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:High Voltage Transistors |