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参数资料
| 型号： | 2SC5060M |
| 英文描述： | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|达林顿|叩| 90V的五（巴西）总裁|甲一（c）|园区 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | 2SC5060M |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5064O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SC-59 |
| 2SC5064Y | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC5065O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SC-70 |
| 2SC5065Y | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC5066FTO | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5060N | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 90V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
| 2SC5060TV2M | 功能描述:达林顿晶体管 DARL NPN 90V 1A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SC5061 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT |
| 2SC5061P | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| 2SC5061Q | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
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