- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录155765 > 2SC5197R TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5197R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管| npn型| 120伏特五（巴西）总裁| 8A条一（c）|至247VAR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 2SC5197R |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5198O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR |
| 2SC5198R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR |
| 2SC5199O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-264AA |
| 2SC5199R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-264AA |
| 2SC519A | Voltage Detectors in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5197-R(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC5198 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| 2SC5198_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications |
| 2SC5198O | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR |
| 2SC5198-O(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VCEO 140V Ic 10A PC 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。