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参数资料
| 型号： | 2SC5265LS |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220FI(LS), 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SC5265LS |
2SC5265LS
No.5321-2/4
ITR08010
IC -- VBE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
4
5
3
VCE=5V
10
100
ITR08011
hFE -- IC
35
72
0.1
72
1.0
7
2
3
5
7
5
7
2
3
VCE=5V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120°C
25°C
--40°C
ITR08008
ITR08009
IC -- VCE
024
6
8
10
0
2
4
6
8
IB=0
VCE(sat) -- IC
0.1
23
2
5
3
5
3
5
7
1.0
77
0.1
1.0
5
3
5
7
2
5
3
7
2
IC / IB=5
Ta= --40
°C
25
°C
120°C
0.8A
0.6A
0.4A
0.2A
1.8A
2.0A
1.6A
1.4A
1.2A
1.0A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=2.0A, IB=0.4A
1.0
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=2.0A, IB=0.4A
1.5
V
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=0.3A
30
40
50
hFE2VCE=5V, IC=1.5A
10
Storage Time
tstg
IC=2.0A, IB1=0.4A, IB2=--0.8A
2.5
s
Fall Time
tf
IC=2.0A, IB1=0.4A, IB2=--0.8A
0.15
s
Switching Time Test Circuit
IB1
IB2
VOUT
VCC
IB1
IB2
VOUT
0.9
0.1
VOUT
RC
tstg tf
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