参数资料
型号: 2SC5414F
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: NP, 3 PIN
文件页数: 4/6页
文件大小: 216K
代理商: 2SC5414F
2SC5414
No.5910–4/6
VCE=2V, IC=20mA, ZO=50Ω
VCE=2V, IC=30mA, ZO=50Ω
VCE=5V, IC=5mA, ZO=50Ω
)
z
H
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参数描述
2SC5415AE-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5415AF-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC54190RA 功能描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5422 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC5422(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: