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参数资料
| 型号： | 2SC5451 |
| 英文描述： | Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SC5451 |
1
Power Transistors
2SC5410, 2SC5410A
Silicon NPN triple diffusion mesa type
For horizontal deflection output
s Features
q
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
q
High-speed switching
q
Wide area of safe operation (ASO)
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
ICP
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Ratings
1500
600
5
30
25
15
200
3.5
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
TC=25°C
Ta=25
°C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff
current
Emitter cutoff current
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Storage time
Fall time
Symbol
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
tstg
tf
Conditions
VCB = 1000V, IE = 0
VCB = 1500V, IE = 0
VEB = 5V, IC = 0
VCE = 5V, IC = 12A
IC = 12A, IB = 3A
VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 0.5MHz
IC = 12A, IB1 = 3A, IB2 = –6A
min
8
typ
3
max
50
1
50
16
3
1.5
4.0
0.3
Unit
A
mA
A
V
MHz
s
2SC5410
2SC5410A
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TOP–3L Package
20.0
±0.5
6.0
10.0
26.0
±0.5
20.0
±0.5
1.5
2.5
Solder
Dip
10.9
±0.5
123
2.0
±0.3
3.0
±0.3
1.0
±0.2
5.0
±0.3
3.0
4.0
2.0
5.45
±0.3
0.6
±0.2
1.5
2.7
±0.3
1.5
2.0
φ 3.3±0.2
3.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5461 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
| 2SC5462 | Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
| 2SC5464FTO | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SOT-416 |
| 2SC5464FTY | Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
| 2SC5464O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SOT-416 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5454 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5454-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:14.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5454-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:14.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143 标准包装:3,000 |
| 2SC5455-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5455-FB(T1) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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