- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录55791 > 2SC5508-T2FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5508-T2FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SUPERMINI-4 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SC5508-T2FB |
Data Sheet PU10521EJ01V0DS
2
2SC5508
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction to Case Resistance
Rth j-c
150
°C/W
Junction to Ambient Resistance
Rth j-a
650
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
200
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0 mA
–
200
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 2 V, IC = 5 mA
50
70
100
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 30 mA, f = 2 GHz
20
25
–
GHz
Insertion Power Gain
|S21e|2
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
14
17
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–
1.1
1.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 2 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.18
0.24
pF
Maximum Available Power Gain
MAG
Note 3
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
–
19
–
dB
Maximum Stable Power Gain
MSG
Note 4
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
–
20
–
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
VCE = 2 V, IC = 20 mA
Note 5, f = 2 GHz
–
11
–
dBm
3rd Order Intermodulation Distortion
Output Intercept Point
OIP3
VCE = 2 V, IC = 20 mA
Note 5, f = 2 GHz
–
22
–
dBm
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
3. MAG =
4. MSG =
5. Collector current when PO (1 dB) is output
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
T79
hFE Value
50 to 100
(K –
√ (K2 – 1) )
S21
S12
S21
S12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5508-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5536 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5538 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5544 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5548(2-7B1A) | 2000 mA, 370 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5509-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5509-T2-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:1 |
| 2SC5509-T2-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5517000LK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5521 | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。