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参数资料
| 型号： | 2SC5562 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-8M1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | 2SC5562 |
2SC5562
2004-07-26
2
Marking
C5562
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5563 | 0.02 A, 1500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5570 | 28 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5574E | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5585 | 500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5587 | 17 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5563(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 1.5KV 0.02A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SC5565-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:mom 30V 5A 200 to 560 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 30V 5A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5566-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5569-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5570(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
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