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参数资料
| 型号： | 2SC5589 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 18 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-21F2A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 318K |
| 代理商： | 2SC5589 |
2SC5589
2004-07-07
1
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5589
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage
: VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage
: VCE (sat) = 3 V (Max.)
High Speed
: tf (2) = 0.1 s (Typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
CollectorBase Voltage
VCBO
1500
V
CollectorEmitter Voltage
VCEO
750
V
EmitterBase Voltage
VEBO
5
V
DC
IC
18
Collector Current
Pulse
ICP
36
A
Base Current
IB
9
A
Collector Power Dissipationc
PC
200
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature Range
Tstg
55~150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP.
MAX
UNIT
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 1500 V, IE = 0
―
1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
100
A
CollectorEmitter Breakdown Voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
750
―
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 2 A
22
―
48
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 7 A
9
―
18
DC Current Gain
hFE (3)
VCE = 5 V, IC = 14 A
5
―
8
―
CollectorEmitter Saturation Voltage
VCE (sat)
IC = 14 A, IB = 3.5 A
―
3
V
BaseEmitter Saturation Voltage
VBE (sat)
IC = 14 A, IB = 3.5 A
―
1.0
1.5
V
Transition Frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 0.1 A
―
2
―
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
240
―
pF
Storage Time
tstg (1)
―
2.7
3
Fall Time
tf (1)
ICP = 9 A, IB1 (end) = 1.3 A
fH = 64 kHz
―
0.2
0.3
s
Storage Time
tstg (2)
―
1.8
2
Switching Time
Fall Time
tf (2)
ICP = 7.5 A, IB1 (end) = 1.1 A
fH= 100 kHz
―
0.1
0.15
s
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F2A
Weight: 9.75 g (typ.)
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PDF描述 |
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