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参数资料
| 型号： | 2SC5599-FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 18/24页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SC5599-FB |
Data Sheet P15145EJ1V0DS00
3
2SC5599
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, TA = +25
°°°°C)
Mounted on Glass Epoxy Board
(1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) )
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA (C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
f = 1 MHz
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
02
4
6
8
10
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
VCE = 1 V
100
80
40
60
20
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
VCE = 1 V
1 000
100
10
110
0.1
100
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
IB : 20 A step
IB = 20 A
60 A
100 A
140 A
180 A
200 A
35
25
30
15
20
5
10
01
2
34
5
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SC5614-T3FB | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5615-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
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