参数资料
型号: 2SC5614-EB
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3
文件页数: 15/18页
文件大小: 123K
代理商: 2SC5614-EB
Data Sheet P15642EJ1V0DS
6
2SC5614
VCE = 3 V
IC = 7 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
VCE = 1 V
IC = 7 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
VCE = 2 V
IC = 7 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
相关PDF资料
PDF描述
2SC5615-A UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5615-T3EB UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5615-FB-A UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5615-T3FB UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5615-T3EB-A UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC562 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC562200VLA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR
2SC562200VLK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC563200L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
2SC5632G0L 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR