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参数资料
| 型号： | 2SC5614-FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 11/18页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | 2SC5614-FB |
Data Sheet P15642EJ1V0DS
2
2SC5614
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 10 V, IE = 0 mA
–
1 000
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE = 1 V, IC = 0 mA
–
1 000
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 3 V, IC = 7 mA
80
–
145
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
3.0
4.5
–
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
7.0
10.0
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz,
ZS = Zopt
–1.4
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.7
1.5
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
hFE CLASSIFICATION
Rank
EB
FB
Marking
C1
C2
hFE Value
80 to 110
100 to 145
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5614 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5615-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5615-T3EB | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5615-FB-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SC562200VLK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
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