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参数资料
| 型号： | 2SC5614-T3 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/31页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | 2SC5614-T3 |
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DATA SHEET
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NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5614
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE
3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD
Document No. PU10080EJ02V0DS (2nd edition)
Date Published March 2002 CP(K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
NEC Corporation 2001
NEC Compound Semiconductor Devices 2002
FEATURES
NF = 1.4 dB TYP.,
S21e2 = 10.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
3-pin lead-less minimold package
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
2SC5614
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
2SC5614-T3
10 kpcs/reel
Pin 2 (Base) face the perforation side of the tape
Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.
The unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
20
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
12
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
3.0
V
Collector Current
IC
100
mA
Total Power Dissipation
Ptot
Note
140
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
65 to +150
°C
Note Mounted on 1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5614-T3FB | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614-T3-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614-T3FB-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5614-FB-A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SC562200VLK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
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