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参数资料
| 型号： | 2SC5617-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2SC5617-A |
Data Sheet D15068EJ3V0DS
2
2SK3483
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 100 V, VGS = 0 V
10
μA
Gate Leakage Current
IGSS
VGS = ±20 V, VDS = 0 V
±10
μA
Gate Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS = 10 V, ID = 1 mA
1.5
2.0
2.5
V
Forward Transfer Admittance
Note
| yfs |
VDS = 10 V, ID = 14 A
9.0
18
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
RDS(on)1
VGS = 10 V, ID = 14 A
41
52
m
Ω
RDS(on)2
VGS = 4.5 V, ID = 14 A
45
59
m
Ω
Input Capacitance
Ciss
VDS = 10 V
2300
pF
Output Capacitance
Coss
VGS = 0 V
230
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
f = 1 MHz
120
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
VDD = 50 V, ID = 14 A
12
ns
Rise Time
tr
VGS = 10 V
9
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
RG = 0
Ω
53
ns
Fall Time
tf
5
ns
Total Gate Charge
QG
VDD = 80 V
49
nC
Gate to Source Charge
QGS
VGS = 10 V
7
nC
Gate to Drain Charge
QGD
ID = 28 A
13
nC
Body Diode Forward Voltage
Note
VF(S-D)
IF = 28 A, VGS = 0 V
1.0
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 28 A, VGS = 0 V
73
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
di/dt = 100 A/
μs
175
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
VGS = 20
→ 0 V
PG.
RG = 25
Ω
50
Ω
D.U.T.
L
VDD
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
PG.
D.U.T.
RL
VDD
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
RG
PG.
IG = 2 mA
50
Ω
D.U.T.
RL
VDD
ID
VDD
IAS
VDS
BVDSS
Starting Tch
VGS
0
τ = 1 s
Duty Cycle
≤ 1%
τ
VGS
Wave Form
VDS
Wave Form
VGS
VDS
10%
0
90%
VGS
VDS
ton
toff
td(on)
tr
td(off)
tf
10%
μ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5617-T3-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5617-T3EB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5629 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5629 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
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| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
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